时间：2025/5/10 12:31:55
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FQB5N90TM是英飞凌（Infineon）推出的N沟道增强型MOSFET，采用TO-263-2封装形式。该器件具有低导通电阻和高开关速度的特点，适合用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等应用中。
其额定电压为900V，能够满足高压应用需求，同时具备良好的热稳定性和可靠性。
最大漏源电压：900V
连续漏极电流：1.18A
导通电阻（典型值）：4.5Ω
栅极电荷：12nC
开关时间：ton=75ns，toff=55ns
FQB5N90TM采用了CoolMOS技术，有效降低了导通损耗和开关损耗。
其具备较高的雪崩击穿能力和较低的反向恢复电荷，从而提高了系统效率和稳定性。
此外，该器件还具有出色的热性能，便于散热设计，适用于工业及消费类电子领域。
开关电源（SMPS）
DC-DC转换器
电机驱动与控制
逆变器
家电产品中的高压切换电路
SLH9N90C是由STMicroelectronics生产的N沟道功率MOSFET，采用DPAK（TO-252）封装。它具有900V的额定漏源电压以及1.2A的连续漏极电流能力，适用于多种高压功率转换场景。
此器件优化了动态性能和静态性能之间的平衡，可减少能量损失并提高整体效率。
最大漏源电压：900V
连续漏极电流：1.2A
导通电阻（典型值）：3.5Ω
栅极电荷：12.5nC
开关时间：ton=70ns，toff=50ns
SLH9N90C采用了MDmesh技术，显著改善了单位面积上的导通电阻和总栅极电荷。
该器件支持快速开关操作，并且在硬开关条件下表现出色。
其具备低反向恢复电荷的体二极管，有助于降低电磁干扰和开关噪声。
此外，它的高温性能优越，工作结温范围可达-55°C至+175°C。
开关模式电源（SMPS）
工业控制系统中的功率级
照明设备
家用电器中的高压电路
电池充电器
SLW9N90C同样是STMicroelectronics的产品线中的一员，属于N沟道功率MOSFET系列，采用TO-220封装形式。这款器件也具有900V的额定耐压值和1.2A的最大连续漏极电流，主要面向高压功率转换应用。
相比SLH9N90C，SLW9N90C更适合需要更大散热空间的应用场景。
最大漏源电压：900V
连续漏极电流：1.2A
导通电阻（典型值）：3.5Ω
栅极电荷：12.5nC
开关时间：ton=70ns，toff=50ns
延续了ST的MDmesh技术优势，提供了更低的导通损耗和更优的热性能。
其大尺寸封装设计增强了散热能力，适合更高功率密度的需求。工业电机驱动
开关电源（SMPS）
太阳能逆变器
电动工具
汽车电子
